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SiLM2024

200V, 290/600mA 半桥驱动

样片申请

SiLM2024 Datasheet

产（chǎn）品概述（shù）

产品特性

安规认证

典（diǎn）型应（yīng）用图

产品概述

SiLM2024 是一款（kuǎn）高压、高（gāo）速的功率MOSFET和IGBT驱动器（qì）。采用专有（yǒu）的（de）高压集成电路（lù）和锁（suǒ）存免疫的CMOS技（jì）术可（kě）提（tí）供可靠的单芯片驱动方（fāng）案。逻辑输入电平与标准CMOS或（huò）LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓（huǎn）冲级（jí），以减小驱动（dòng）器交叉导通。浮动通道可用于驱动（dòng）高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压（yā）可高达200V。

产品特性

为自举操（cāo）作设计的（de）浮动通道

完全运行（háng）时电压高达 200V

容许瞬间负电压，不受（shòu） dV/dt 影（yǐng）响

驱（qū）动电源（yuán）范围从（cóng） 10V 到（dào） 20V

欠压闭锁

3.3V、5V、15V逻辑（jí）输入兼（jiān）容

驱动电流：290mA/600mA

典型的开通/关断（duàn）延（yán）时：680 ns/150 ns

死（sǐ）区时间：520 ns

防止交叉导通逻辑（jí）

两通道（dào）间匹配传输（shū）延迟