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SiLM2004E

200V低压（yā）驱动芯（xīn）片

样片申请

SiLM2004E Datasheet

产品概述

产品特性（xìng）

安规认证（zhèng）

典型应用图

产品概述

SiLM2004E 是（shì）一款高压（yā）、高速的功率MOSFET和（hé）IGBT驱动（dòng）器。采（cǎi）用专有（yǒu）的高压集成电路和锁存免疫（yì）的CMOS技术可提供可靠的单芯片（piàn）驱动方案（àn）。逻（luó）辑输入（rù）电平与标准（zhǔn）CMOS或（huò）LSTTL输（shū）出兼容，最低支（zhī）持3.3V逻辑（jí）。输出驱动器（qì）具有高脉（mò）冲电流缓冲级（jí），以（yǐ）减小驱动器交叉导通。浮（fú）动（dòng）通道可用于驱动高边配置的N型沟道（dào）功（gōng）率MOSFET或IGBT，工作电压可（kě）高达200V。

产品特性

为自（zì）举操作设计的浮动通（tōng）道

完全运行时电压高（gāo）达 200V

容许瞬间（jiān）负电压，不受 dV/dt 影（yǐng）响

驱动（dòng）电源范围从 10V 到（dào） 18V

欠（qiàn）压闭（bì）锁

3.3V、5V逻辑输入兼（jiān）容（róng）

驱动电流：290 mA/600 mA

防止（zhǐ）交（jiāo）叉导通逻辑

两通道间匹配（pèi）传输延（yán）迟

通过无（wú）铅认证

提供 SOP-8 封装（zhuāng）选（xuǎn）项