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SLM2003S

200V低压驱动芯片

样片申请

SLM2003S Datasheet.

产（chǎn）品概述

产品特性

安规认（rèn）证

典型应用图

产品概述

SLM2003S 是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集成电路和锁存（cún）免疫的CMOS技术可提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑（jí）输（shū）入电平与标（biāo）准CMOS或LSTTL输（shū）出兼容（róng），最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具（jù）有高脉冲电流缓冲（chōng）级，以减小（xiǎo）驱动器交叉导通。浮（fú）动通道可用于驱动高边配置的N型（xíng）沟道功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工（gōng）作电压可高达200V。

产（chǎn）品特性

为（wéi）自举操作设计的浮动通道

完全运行时电压高达 200V

容许瞬（shùn）间负电（diàn）压（yā），不受 dV/dt 影响

驱（qū）动（dòng）电源范围从（cóng） 10V 到 20V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑（jí）输（shū）入兼容（róng）

驱动电流：290 mA/600 mA

防止交叉导通逻辑（jí）

两通道（dào）间匹（pǐ）配传输延迟

通过无铅认证

提供 SOP-8 封（fēng）装选项